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型号 SPB11N60S5
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
SPB11N60S5 PDF
代理商 SPB11N60S5
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 5.5V @ 500µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 54nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1460pF @ 25V
功率 - 最大 125W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SPB11N60S5INCT
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